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时间:2018-11-21 09:28:00  来源:本站  作者:
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  ------------------------------------------在某些人造的二维半导体结构中,电子气限制在极薄的一层之内运动,在垂直层面方向施加强磁场,在层面与电流I相垂直的方向上出现电势差VH,称为霍耳电压,RH=VH/I称为霍耳电阻。经典霍耳效应表明,RH随所加磁场的磁感应强度B增加而增加,呈线K或更低温度测量这种半导体结构的霍耳电阻,发现RH与B的关系是在总的直线趋势上出现一系列平台,平台处的RH=h/ie2,这里i是正整数,h为普朗克常数,e为电子电荷。该现象称为整数量子霍耳效应。

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